APTGT35H120T3G | Roving Networks / Microchip Technology APTGT35H120T3G

APTGT35H120T3G

Увеличить

Только для справки

номер части	APTGT35H120T3G
LIXINC Part #	APTGT35H120T3G
Производитель	Roving Networks / Microchip Technology
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	APTGT35H120T3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

APTGT35H120T3G Технические характеристики

номер части:	APTGT35H120T3G
Бренд:	Roving Networks / Microchip Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Roving Networks / Microchip Technology
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Full Bridge Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	55 A
мощность - макс.:	208 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 35A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	2.5 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	SP3
пакет устройств поставщика:	SP3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$67.56000	$67.56
100	$48.01710	$4801.71

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015