BSM75GD120DN2BOSA1 | IR (Infineon Technologies) BSM75GD120DN2BOSA1 | BSM75GD120DN2BOSA1 Inventory, Best Pricing

BSM75GD120DN2BOSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSM75GD120DN2BOSA1
LIXINC Part #	BSM75GD120DN2BOSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 103A 520W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSM75GD120DN2BOSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSM75GD120DN2BOSA1 Технические характеристики

номер части:	BSM75GD120DN2BOSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Not For New Designs
тип IGBT:	-
конфигурация:	Three Phase Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	103 A
мощность - макс.:	520 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3V @ 15V, 75A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1.5 mA
входная емкость (cis) @ vce:	5.1 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$228.29100	$228.291
10	$212.21921	$2122.1921

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015