CP373-CTLDM303N-CT | Central Semiconductor CP373-CTLDM303N-CT | CP373-CTLDM303N-CT Inventory, Best Pricing

CP373-CTLDM303N-CT

Увеличить

Только для справки

номер части	CP373-CTLDM303N-CT
LIXINC Part #	CP373-CTLDM303N-CT
Производитель	Central Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CP373-CTLDM303N-CT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CP373-CTLDM303N-CT Технические характеристики

номер части:	CP373-CTLDM303N-CT
Бренд:	Central Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Central Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	78mOhm @ 1.8A, 2.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	590 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	Die
упаковка / чехол:	Die

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015