TPCF8102(TE85L,F,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPCF8102(TE85L,F,M | TPCF8102(TE85L,F,M Inventory, Best Pricing

TPCF8102(TE85L,F,M

Увеличить

Только для справки

номер части	TPCF8102(TE85L,F,M
LIXINC Part #	TPCF8102(TE85L,F,M
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPCF8102(TE85L,F,M След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPCF8102(TE85L,F,M Технические характеристики

номер части:	TPCF8102(TE85L,F,M
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSIII
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	30mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1550 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	700mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	VS-8 (2.9x1.5)
упаковка / чехол:	8-SMD, Flat Lead

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015