NVMFS5C612NWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5C612NWFT1G

NVMFS5C612NWFT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMFS5C612NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5C612NWFT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMFS5C612NWFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMFS5C612NWFT1G Технические характеристики

номер части:	NVMFS5C612NWFT1G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	34A (Ta), 225A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.65mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	62 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4900 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 167W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN, 5 Leads

TBB1010KMWS-E	RF N-CHANNEL MOSFET	995 Подробнее о заказе
IXTX660N04T4	DISC MSFT NCHTRENCHGATE-GEN4 TO-	844 Подробнее о заказе
2SK2723-AZ	N-CHANNEL POWER MOSFET	812 Подробнее о заказе
DMN32D0LFB4-7B	MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006	943 Подробнее о заказе
NTMFS4C020NT1G	MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN	987 Подробнее о заказе
STWA70N60DM2	MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247	908 Подробнее о заказе
SI6467DQ	P-CHANNEL MOSFET	7001 Подробнее о заказе
MRF9030GMR1	30W RF PWR FET TO270GULL	1344 Подробнее о заказе
2SJ559(0)-T1-A	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET	3980 Подробнее о заказе
SIDR220DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK	991 Подробнее о заказе
SI4884DY	N-CHANNEL POWER MOSFET	910 Подробнее о заказе
SL3401A-TP	MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT23-3L	3138 Подробнее о заказе
SQD40N10-25-T4_GE3	MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA	912 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.65000	$2.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015