SIDR220DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIDR220DP-T1-GE3 | SIDR220DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIDR220DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIDR220DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIDR220DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIDR220DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIDR220DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIDR220DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	87.7A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	200 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+16V, -12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1085 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8DC
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

SI4884DY	N-CHANNEL POWER MOSFET	832 Подробнее о заказе
SL3401A-TP	MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT23-3L	3176 Подробнее о заказе
SQD40N10-25-T4_GE3	MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA	837 Подробнее о заказе
NVTFS5C471NLTAG	MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN	821 Подробнее о заказе
RRS040P03FRATB	MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP	903 Подробнее о заказе
MMIX1F132N50P3	MOSFET N-CH 500V 63A 24SMPD	3415 Подробнее о заказе
TK62Z60X,S1F	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	1020 Подробнее о заказе
RJK0397DPA-02#J53	POWER TRANSISTOR, MOSFET	6995 Подробнее о заказе
IXTQ3N150M	MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP	953 Подробнее о заказе
SQ3495EV-T1_GE3	MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP	3740 Подробнее о заказе
STL33N60M6	MOSFET 600V 21A POWERFLAT HV	835 Подробнее о заказе
IXFQ80N25X3	MOSFET N-CH 250V 80A TO3P	2128 Подробнее о заказе
TK7S10N1Z,LXHQ	MOSFET N-CH 100V 7A DPAK	4806 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.35675	$1.35675

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015