TP65H035G4WS | Transphorm TP65H035G4WS | TP65H035G4WS Inventory, Best Pricing

TP65H035G4WS

Увеличить

Только для справки

номер части	TP65H035G4WS
LIXINC Part #	TP65H035G4WS
Производитель	Transphorm
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TP65H035G4WS След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TP65H035G4WS Технические характеристики

номер части:	TP65H035G4WS
Бренд:	Transphorm
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Transphorm
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	46.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.8V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 0 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	156W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-247-3
упаковка / чехол:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$17.65000	$17.65

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015