IRFH5302DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH5302DTRPBF | IRFH5302DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5302DTRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRFH5302DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH5302DTRPBF
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 29A/100A PQFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRFH5302DTRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRFH5302DTRPBF Технические характеристики

номер части:	IRFH5302DTRPBF
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	29A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.35V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3635 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PQFN (5x6) Single Die
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

UPA1810GR-9JG-E2-A	P-CHANNEL POWER MOSFET	3922 Подробнее о заказе
PMN40UPE,115-NEX	TRANSISTOR	973 Подробнее о заказе
RJK0358DSP-00#J0	N-CHANNEL POWER MOSFET	788411 Подробнее о заказе
IRFHM8342TRPBF-IR	MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL	882 Подробнее о заказе
DMP45H4D9HJ3	MOSFET P-CH 450V 4.6A TO251	988 Подробнее о заказе
DMN2990UFO-7B	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN	990 Подробнее о заказе
BSC005N03LS5ATMA1	TRENCH <= 40V	816 Подробнее о заказе
IPP042N03L G	N-CHANNEL POWER MOSFET	1969 Подробнее о заказе
2SK3433-ZJ-E1-AZ	N-CHANNEL POWER MOSFET	1728 Подробнее о заказе
2SJ325-Z-AZ	P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	800 Подробнее о заказе
FDM47-06KC5	MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC	972 Подробнее о заказе
MTY30N50E	N-CHANNEL POWER MOSFET	9153 Подробнее о заказе
FS100KMJ-03F#B00	N-CHANNEL POWER MOSFET	854 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.90000	$1.9
4000	$1.00381	$4015.24

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015