Только для справки
| номер части | SSM5H08TU,LF |
| LIXINC Part # | SSM5H08TU,LF |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 20V 1.5A UFV |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SSM5H08TU,LF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SSM5H08TU,LF |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSIII |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.5A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.5V, 4V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 160mOhm @ 750mA, 4V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.1V @ 100µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 125 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | Schottky Diode (Isolated) |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 500mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | UFV |
| упаковка / чехол: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| SSM3J66MFV,L3F | MOSFET P-CH 20V 800MA VESM | 8199 Подробнее о заказе |
|
| IRF9531 | MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB | 818 Подробнее о заказе |
|
| 2SK2133-Z-E1-AZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1531 Подробнее о заказе |
|
| TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 1388 Подробнее о заказе |
|
| IPW65R155CFD7XKSA1 | HIGH POWER_NEW | 836 Подробнее о заказе |
|
| 2N6767 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 917 Подробнее о заказе |
|
| IRFBC40R | N-CHANNEL POWER MOSFET | 920 Подробнее о заказе |
|
| CMS80N03H8-HF | MOSFET N-CH 30V 80A DFN5X6 | 983 Подробнее о заказе |
|
| FDMS4D5N08LC | MOSFET N-CH 80V 17A/116A 8PQFN | 276915992 Подробнее о заказе |
|
| BUK662R7-55C | NOW NEXPERIA BUK662R7-55C - POWE | 926 Подробнее о заказе |
|
| RJK6009DPP-00#T2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 823 Подробнее о заказе |
|
| IXTY18P10T-TRL | MOSFET P-CH 100V 18A TO252 | 821 Подробнее о заказе |
|
| NTMTSC002N10MCTXG | MOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNW | 981 Подробнее о заказе |
| В наличии | 16798 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.50000 | $0.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.