Только для справки
| номер части | TK25V60X,LQ |
| LIXINC Part # | TK25V60X,LQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK25V60X,LQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK25V60X,LQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | DTMOSIV-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 25A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 135mOhm @ 7.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 1.2mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2400 pF @ 300 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 180W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 4-DFN-EP (8x8) |
| упаковка / чехол: | 4-VSFN Exposed Pad |
| BUK764R0-75C,118-NEX | PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM, | 865 Подробнее о заказе |
|
| STL10HN65M2 | POWER MOSFET | 893 Подробнее о заказе |
|
| IPA052N08NM5SXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 64A TO220 | 976 Подробнее о заказе |
|
| NVTFS052P04M8LTAG | MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN | 9899 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ317NYTL-E | P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 4866 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3818-DL-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 2927 Подробнее о заказе |
|
| HAT1125HWS-E | P-CHANNEL POWER MOSFET | 2956 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3570-ZK-E1-AZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 1696 Подробнее о заказе |
|
| NTTFS6H854NLTAG | MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN | 5335 Подробнее о заказе |
|
| NTLUS4C16NTAG | MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN | 949 Подробнее о заказе |
|
| MCAC150N03A-TP | N-CHANNEL MOSFET, DFN5060 | 873 Подробнее о заказе |
|
| IRF9542 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 1305 Подробнее о заказе |
|
| RJK0348DPA-00#J0 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 638307 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10966 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.46000 | $2.46 |
| 2500 | $2.46000 | $6150 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.