TK25V60X,LQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK25V60X,LQ

TK25V60X,LQ

Увеличить

Только для справки

номер части	TK25V60X,LQ
LIXINC Part #	TK25V60X,LQ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK25V60X,LQ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK25V60X,LQ Технические характеристики

номер части:	TK25V60X,LQ
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	DTMOSIV-H
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	135mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 1.2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 300 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	180W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-DFN-EP (8x8)
упаковка / чехол:	4-VSFN Exposed Pad

BUK764R0-75C,118-NEX	PFET, 100A I(D), 75V, 0.004OHM,	924 Подробнее о заказе
STL10HN65M2	POWER MOSFET	835 Подробнее о заказе
IPA052N08NM5SXKSA1	MOSFET N-CH 80V 64A TO220	802 Подробнее о заказе
NVTFS052P04M8LTAG	MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN	9993 Подробнее о заказе
2SJ317NYTL-E	P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	4987 Подробнее о заказе
2SK3818-DL-E	N-CHANNEL SILICON MOSFET	2950 Подробнее о заказе
HAT1125HWS-E	P-CHANNEL POWER MOSFET	2832 Подробнее о заказе
2SK3570-ZK-E1-AZ	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1705 Подробнее о заказе
NTTFS6H854NLTAG	MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN	5422 Подробнее о заказе
NTLUS4C16NTAG	MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN	899 Подробнее о заказе
MCAC150N03A-TP	N-CHANNEL MOSFET, DFN5060	834 Подробнее о заказе
IRF9542	P-CHANNEL POWER MOSFET	1484 Подробнее о заказе
RJK0348DPA-00#J0	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	638466 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.46000	$2.46
2500	$2.46000	$6150

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015