IPW65R125CFD7XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW65R125CFD7XKSA1 | IPW65R125CFD7XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R125CFD7XKSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPW65R125CFD7XKSA1
LIXINC Part #	IPW65R125CFD7XKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	HIGH POWER_NEW
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPW65R125CFD7XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPW65R125CFD7XKSA1 Технические характеристики

номер части:	IPW65R125CFD7XKSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ CFD7
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 420µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1694 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	98W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3
упаковка / чехол:	TO-247-3

NDH8502P	P-CHANNEL MOSFET	54426 Подробнее о заказе
DMT32M5LFG-7	MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333	6970 Подробнее о заказе
SQJ140EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8	3861 Подробнее о заказе
AOTL66610	MOSFET N-CH 60V 61A/350A TOLLA	990 Подробнее о заказе
RJK0657DPA-WS#J5A	N-CHANNEL POWER MOSFET	3580 Подробнее о заказе
YJG50N03A-F1-0100HF	N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-	925 Подробнее о заказе
IRF710R	N-CHANNEL POWER MOSFET	971 Подробнее о заказе
IXTY1N80P-TRL	MOSFET N-CH 800V 1A TO252	817 Подробнее о заказе
2SK1313STR-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	5869 Подробнее о заказе
IXFH60N65X2-4	MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L	2977 Подробнее о заказе
IPP045N10N3G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	863 Подробнее о заказе
RJK0379DPA-WS#J53	N-CHANNEL POWER MOSFET	3689 Подробнее о заказе
IRLR3410PBF-INF	HEXFET POWER MOSFET	999 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$5.17000	$5.17

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015