SQJ140EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ140EP-T1_GE3 | SQJ140EP-T1

SQJ140EP-T1_GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SQJ140EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ140EP-T1_GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SQJ140EP-T1_GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SQJ140EP-T1_GE3 Технические характеристики

номер части:	SQJ140EP-T1_GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	266A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3855 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	263W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

AOTL66610	MOSFET N-CH 60V 61A/350A TOLLA	944 Подробнее о заказе
RJK0657DPA-WS#J5A	N-CHANNEL POWER MOSFET	3599 Подробнее о заказе
YJG50N03A-F1-0100HF	N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L-	953 Подробнее о заказе
IRF710R	N-CHANNEL POWER MOSFET	888 Подробнее о заказе
IXTY1N80P-TRL	MOSFET N-CH 800V 1A TO252	832 Подробнее о заказе
2SK1313STR-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	5902 Подробнее о заказе
IXFH60N65X2-4	MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L	2976 Подробнее о заказе
IPP045N10N3G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	941 Подробнее о заказе
RJK0379DPA-WS#J53	N-CHANNEL POWER MOSFET	3621 Подробнее о заказе
IRLR3410PBF-INF	HEXFET POWER MOSFET	924 Подробнее о заказе
NTR4501NT3H	NFET SOT23 20V 3.2A 70R T	21000 Подробнее о заказе
RFP10P12	P-CHANNEL POWER MOSFET	1243 Подробнее о заказе
MMIX1F210N30P3	MOSFET N-CH 300V 108A 24SMPD	2995 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.32000	$1.32

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015