IPT019N08N5ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPT019N08N5ATMA1 | IPT019N08N5ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPT019N08N5ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPT019N08N5ATMA1
LIXINC Part #	IPT019N08N5ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPT019N08N5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPT019N08N5ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPT019N08N5ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™5
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	32A (Ta), 247A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.8V @ 159µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	127 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9200 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	231W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

DMNH4004SPS-13	MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506	816 Подробнее о заказе
PMV50XNEAR	PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN	969 Подробнее о заказе
SIHG11N80AE-GE3	MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC	1366 Подробнее о заказе
NDCTR40120A	MOSFET N-CH 1200V 40A SMD	4226 Подробнее о заказе
TK49N65W,S1F	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2	1039 Подробнее о заказе
BB504CDS-TL-E	RF N-CHANNEL MOSFET	963992 Подробнее о заказе
NTMFS3D6N10MCLT1G	MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN	2139 Подробнее о заказе
NVH4L040N120SC1	TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4	1075 Подробнее о заказе
TK4R1A10PL,S4X	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	1016 Подробнее о заказе
IXTU4N70X2	MOSFET N-CH 700V 4A TO251	864 Подробнее о заказе
C3M0065100J-TR	SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7	902 Подробнее о заказе
BSC886N03LS G	N-CHANNEL POWER MOSFET	5897 Подробнее о заказе
ZXMN3A14FQTA	MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3	928 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.52000	$4.52

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015