NTMFS3D6N10MCLT1G

NTMFS3D6N10MCLT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NTMFS3D6N10MCLT1G
LIXINC Part # NTMFS3D6N10MCLT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NTMFS3D6N10MCLT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMFS3D6N10MCLT1G Технические характеристики

номер части:NTMFS3D6N10MCLT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:19.5A (Ta), 131A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 270µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4411 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NVH4L040N120SC1 NVH4L040N120SC1 TRANS SJT N-CH 1200V 58A TO247-4 1214

Подробнее о заказе

TK4R1A10PL,S4X TK4R1A10PL,S4X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 989

Подробнее о заказе

IXTU4N70X2 IXTU4N70X2 MOSFET N-CH 700V 4A TO251 990

Подробнее о заказе

C3M0065100J-TR C3M0065100J-TR SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7 980

Подробнее о заказе

BSC886N03LS G BSC886N03LS G N-CHANNEL POWER MOSFET 5880

Подробнее о заказе

ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FQTA MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3 857

Подробнее о заказе

SIA413ADJ-T1-GE3 SIA413ADJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6 3996

Подробнее о заказе

RJK03E3DNS-WS#J5 RJK03E3DNS-WS#J5 N-CHANNEL POWER MOSFET 5329

Подробнее о заказе

RFD8P05SM9A RFD8P05SM9A P-CHANNEL POWER MOSFET 4010

Подробнее о заказе

NTMFS0D7N03CGT1G NTMFS0D7N03CGT1G MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN 869

Подробнее о заказе

RFP6P08 RFP6P08 P-CHANNEL POWER MOSFET 907

Подробнее о заказе

UPA1556AH-AZ UPA1556AH-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET 23988

Подробнее о заказе

2SJ605-ZJ-E1-AZ 2SJ605-ZJ-E1-AZ P-CHANNEL POWER MOSFET 1462

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12107 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.11000$2.11

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top