Только для справки
| номер части | IPC302N20NFDX1SA1 |
| LIXINC Part # | IPC302N20NFDX1SA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPC302N20NFDX1SA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPC302N20NFDX1SA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1A (Tj) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 100mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 270µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | Sawn on foil |
| упаковка / чехол: | Die |
| PSMN3R9-100YSFX | MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56 | 843 Подробнее о заказе |
|
| FS14KM-10A#B00 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2847 Подробнее о заказе |
|
| IXTY90N055T2 | MOSFET N-CH 55V 90A TO252 | 5295 Подробнее о заказе |
|
| RJK0395DPA-WS#J53 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3643 Подробнее о заказе |
|
| CPH6411-TL-E | N-CHANNL SILICON MOSFET FOR ULTR | 24853 Подробнее о заказе |
|
| APT1201R6BVRG | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247 | 958 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ518AZ90TR | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 858 Подробнее о заказе |
|
| NTK3139PT1H | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 915 Подробнее о заказе |
|
| IXFA36N55X2 | IXFA36N55X2 | 878 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ328-Z-AZ | P-CHANNEL POWER MOSFET | 986 Подробнее о заказе |
|
| IRF841 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1789 Подробнее о заказе |
|
| IRF611 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 824 Подробнее о заказе |
|
| RJK0358DPA-WS#J0 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3207 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15323 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.57000 | $3.57 |
| 4425 | $3.57000 | $15797.25 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.