IPC302N20NFDX1SA1

IPC302N20NFDX1SA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPC302N20NFDX1SA1
LIXINC Part # IPC302N20NFDX1SA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPC302N20NFDX1SA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPC302N20NFDX1SA1 Технические характеристики

номер части:IPC302N20NFDX1SA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:1A (Tj)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 270µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:-
ВГС (макс.):-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:-
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):-
Рабочая Температура:-
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:Sawn on foil
упаковка / чехол:Die

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PSMN3R9-100YSFX PSMN3R9-100YSFX MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56 868

Подробнее о заказе

FS14KM-10A#B00 FS14KM-10A#B00 N-CHANNEL POWER MOSFET 2875

Подробнее о заказе

IXTY90N055T2 IXTY90N055T2 MOSFET N-CH 55V 90A TO252 5328

Подробнее о заказе

RJK0395DPA-WS#J53 RJK0395DPA-WS#J53 N-CHANNEL POWER MOSFET 3496

Подробнее о заказе

CPH6411-TL-E CPH6411-TL-E N-CHANNL SILICON MOSFET FOR ULTR 24831

Подробнее о заказе

APT1201R6BVRG APT1201R6BVRG MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247 945

Подробнее о заказе

2SJ518AZ90TR 2SJ518AZ90TR SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET 883

Подробнее о заказе

NTK3139PT1H NTK3139PT1H POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 811

Подробнее о заказе

IXFA36N55X2 IXFA36N55X2 IXFA36N55X2 862

Подробнее о заказе

2SJ328-Z-AZ 2SJ328-Z-AZ P-CHANNEL POWER MOSFET 951

Подробнее о заказе

IRF841 IRF841 N-CHANNEL POWER MOSFET 1667

Подробнее о заказе

IRF611 IRF611 N-CHANNEL POWER MOSFET 938

Подробнее о заказе

RJK0358DPA-WS#J0 RJK0358DPA-WS#J0 N-CHANNEL POWER MOSFET 3098

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15309 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.57000$3.57
4425$3.57000$15797.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top