IPB65R041CFD7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB65R041CFD7ATMA1 | IPB65R041CFD7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB65R041CFD7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB65R041CFD7ATMA1
LIXINC Part #	IPB65R041CFD7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	HIGH POWER_NEW
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB65R041CFD7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB65R041CFD7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB65R041CFD7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ CFD7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 24.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 1.24mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	102 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4975 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	227W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPC302N20NFDX1SA1	MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL	5298 Подробнее о заказе
PSMN3R9-100YSFX	MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56	924 Подробнее о заказе
FS14KM-10A#B00	N-CHANNEL POWER MOSFET	2698 Подробнее о заказе
IXTY90N055T2	MOSFET N-CH 55V 90A TO252	5374 Подробнее о заказе
RJK0395DPA-WS#J53	N-CHANNEL POWER MOSFET	3592 Подробнее о заказе
CPH6411-TL-E	N-CHANNL SILICON MOSFET FOR ULTR	24800 Подробнее о заказе
APT1201R6BVRG	MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247	807 Подробнее о заказе
2SJ518AZ90TR	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET	802 Подробнее о заказе
NTK3139PT1H	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	801 Подробнее о заказе
IXFA36N55X2	IXFA36N55X2	917 Подробнее о заказе
2SJ328-Z-AZ	P-CHANNEL POWER MOSFET	1097 Подробнее о заказе
IRF841	N-CHANNEL POWER MOSFET	1755 Подробнее о заказе
IRF611	N-CHANNEL POWER MOSFET	973 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$9.97000	$9.97

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015