Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD180N10N3GBTMA1
LIXINC Part # IPD180N10N3GBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD180N10N3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD180N10N3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD180N10N3GBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Discontinued at Digi-Key
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:43A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:18mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 33µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):71W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD180N10N3GBTMA1 Документы

if IPD180N10N3GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NP60N03KUG-E1-AY NP60N03KUG-E1-AY MOSFET N-CH 30V 60A TO263 971

Подробнее о заказе
IRF1902TRPBF IRF1902TRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO 943

Подробнее о заказе
STL11N60M2-EP STL11N60M2-EP MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV 920

Подробнее о заказе
SI4862DY-T1-GE3 SI4862DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 16V 17A 8SO 865

Подробнее о заказе
TP5335K1-G-VAO TP5335K1-G-VAO MOSFET P-CH 350V 85MA SOT23-3 892

Подробнее о заказе
NTR1P02T3G NTR1P02T3G MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3 816

Подробнее о заказе
IXFX62N25 IXFX62N25 MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247-3 855

Подробнее о заказе
STL160N3LLH6 STL160N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT 809

Подробнее о заказе
2SJ687-ZK-E1-AY 2SJ687-ZK-E1-AY MOSFET P-CH 20V 20A TO252 913

Подробнее о заказе
FQI4N20LTU FQI4N20LTU MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK 822

Подробнее о заказе
BS250PSTZ BS250PSTZ MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE 982

Подробнее о заказе
IRF8714GTRPBF IRF8714GTRPBF MOSFET N-CH 30V 14A 8SO 932

Подробнее о заказе
FQH90N15 FQH90N15 MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3 933

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10850 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top