TP5335K1-G-VAO | Roving Networks / Microchip Technology TP5335K1-G-VAO

TP5335K1-G-VAO

Увеличить

Только для справки

номер части	TP5335K1-G-VAO
LIXINC Part #	TP5335K1-G-VAO
Производитель	Roving Networks / Microchip Technology
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 350V 85MA SOT23-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TP5335K1-G-VAO След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TP5335K1-G-VAO Технические характеристики

номер части:	TP5335K1-G-VAO
Бренд:	Roving Networks / Microchip Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Roving Networks / Microchip Technology
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	350 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	85mA (Tj)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	30Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	110 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	360mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-23-3
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015