Только для справки
| номер части | IPB80N06S405ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPB80N06S405ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPB80N06S405ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPB80N06S405ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Discontinued at Digi-Key |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 80A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 60µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 81 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 6500 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 107W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| NTD65N03R-001 | MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK | 989 Подробнее о заказе |
|
| IPB100N04S2L03ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | 920 Подробнее о заказе |
|
| IRFBF20 | MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB | 868 Подробнее о заказе |
|
| STD30NF04LT | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK | 823 Подробнее о заказе |
|
| PHB108NQ03LT,118 | MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK | 851 Подробнее о заказе |
|
| BSO4822 | MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO | 926 Подробнее о заказе |
|
| SI4666DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO | 936 Подробнее о заказе |
|
| PHB23NQ10LT,118 | MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK | 802 Подробнее о заказе |
|
| IRF634STRL | MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK | 867 Подробнее о заказе |
|
| IRF9410PBF | MOSFET N-CH 30V 7A 8SO | 937 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ34NS | MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK | 816 Подробнее о заказе |
|
| IXTP1N80 | MOSFET N-CH 800V 750MA TO220AB | 941 Подробнее о заказе |
|
| PHB110NQ08LT,118 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 851 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10999 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.0000 | $0 |
| 100 | $0.0000 | $0 |
| 500 | $0.0000 | $0 |
| 1000 | $0.0000 | $0 |
| 2500 | $0.0000 | $0 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.