IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB100N04S2L03ATMA1
LIXINC Part # IPB100N04S2L03ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB100N04S2L03ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB100N04S2L03ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB100N04S2L03ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Discontinued at Digi-Key
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:230 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6000 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFBF20 IRFBF20 MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB 863

Подробнее о заказе

STD30NF04LT STD30NF04LT MOSFET N-CH 40V 30A DPAK 873

Подробнее о заказе

PHB108NQ03LT,118 PHB108NQ03LT,118 MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK 890

Подробнее о заказе

BSO4822 BSO4822 MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO 896

Подробнее о заказе

SI4666DY-T1-GE3 SI4666DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO 992

Подробнее о заказе

PHB23NQ10LT,118 PHB23NQ10LT,118 MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK 982

Подробнее о заказе

IRF634STRL IRF634STRL MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK 887

Подробнее о заказе

IRF9410PBF IRF9410PBF MOSFET N-CH 30V 7A 8SO 880

Подробнее о заказе

IRFZ34NS IRFZ34NS MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK 897

Подробнее о заказе

IXTP1N80 IXTP1N80 MOSFET N-CH 800V 750MA TO220AB 949

Подробнее о заказе

PHB110NQ08LT,118 PHB110NQ08LT,118 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 883

Подробнее о заказе

PHP21N06T,127 PHP21N06T,127 MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB 888

Подробнее о заказе

IRFI644G IRFI644G MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3 905

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10866 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.0000$0
100$0.0000$0
500$0.0000$0
1000$0.0000$0
2500$0.0000$0

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top