IPD90N06S4L05ATMA2 | Rochester Electronics IPD90N06S4L05ATMA2 | IPD90N06S4L05ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD90N06S4L05ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD90N06S4L05ATMA2
LIXINC Part #	IPD90N06S4L05ATMA2
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3-11
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD90N06S4L05ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD90N06S4L05ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPD90N06S4L05ATMA2
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 60µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8.18 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	107W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTA50N20P	MOSFET N-CH 200V 50A TO263	1383 Подробнее о заказе
SIHF12N60E-E3	MOSFET N-CH 600V 12A TO220	1899 Подробнее о заказе
IRFR825PBF	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	2180 Подробнее о заказе
SIHLR120-GE3	MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK	969 Подробнее о заказе
PMZ390UNE/S500315	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	100904 Подробнее о заказе
PXN8R3-30QLJ	PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33	3996 Подробнее о заказе
IPD50N04S308ATMA1	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	885 Подробнее о заказе
TPIC5302D	N-CHANNEL POWER MOSFET	1958 Подробнее о заказе
FQA7N80C	MOSFET N-CH 800V 7A TO3P	25951 Подробнее о заказе
FDMS7682	MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN	3844 Подробнее о заказе
R6006JNXC7G	MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM	2008 Подробнее о заказе
IPI90R1K2C3XKSA1	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3	2759 Подробнее о заказе
SI4431BDY-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO	977 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.57000	$0.57
2500	$0.57000	$1425

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015