Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD50N04S308ATMA1

IPD50N04S308ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD50N04S308ATMA1
LIXINC Part # IPD50N04S308ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD50N04S308ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD50N04S308ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD50N04S308ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.35 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):68W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N04S308ATMA1 Документы

if IPD50N04S308ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TPIC5302D TPIC5302D N-CHANNEL POWER MOSFET 1890

Подробнее о заказе
FQA7N80C FQA7N80C MOSFET N-CH 800V 7A TO3P 26026

Подробнее о заказе
FDMS7682 FDMS7682 MOSFET N-CH 30V 16A/22A 8PQFN 3694

Подробнее о заказе
R6006JNXC7G R6006JNXC7G MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM 1858

Подробнее о заказе
IPI90R1K2C3XKSA1 IPI90R1K2C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3 2877

Подробнее о заказе
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO 962

Подробнее о заказе
BUK7275-100A,118 BUK7275-100A,118 MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK 18550

Подробнее о заказе
PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 2087

Подробнее о заказе
STP160N3LL STP160N3LL MOSFET N-CH 30V 120A TO220 1796

Подробнее о заказе
NTD4969N-35G NTD4969N-35G MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK 44295

Подробнее о заказе
CXDM1002N TR PBFREE CXDM1002N TR PBFREE MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 2995

Подробнее о заказе
IRFD110 IRFD110 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL 54239

Подробнее о заказе
SQ9407EY-T1_GE3 SQ9407EY-T1_GE3 MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO 825

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10952 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.43000$0.43
2500$0.43000$1075

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top