NTMFS4H02NFT3G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMFS4H02NFT3G

NTMFS4H02NFT3G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTMFS4H02NFT3G
LIXINC Part #	NTMFS4H02NFT3G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTMFS4H02NFT3G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTMFS4H02NFT3G Технические характеристики

номер части:	NTMFS4H02NFT3G
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	37A (Ta), 193A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	40.9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2652 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.13W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.10250	$2.1025
5000	$2.10250	$10512.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015