IRFB59N10DPBF | Rochester Electronics IRFB59N10DPBF | IRFB59N10DPBF Inventory, Best Pricing

IRFB59N10DPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRFB59N10DPBF
LIXINC Part #	IRFB59N10DPBF
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	SMPS HEXFET POWER MOSFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRFB59N10DPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRFB59N10DPBF Технические характеристики

номер части:	IRFB59N10DPBF
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	59A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 35.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	114 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2.45 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220AB
упаковка / чехол:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015