Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD65R660CFDAATMA1
LIXINC Part # IPD65R660CFDAATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD65R660CFDAATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD65R660CFDAATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD65R660CFDAATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:660mOhm @ 3.22A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 214.55µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:543 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):62.5W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD65R660CFDAATMA1 Документы

if IPD65R660CFDAATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SISS72DN-T1-GE3 SISS72DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK 5250

Подробнее о заказе
IPS80R750P7AKMA1 IPS80R750P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V 7A TO251-3 812

Подробнее о заказе
BSS192,115 BSS192,115 MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89 36118

Подробнее о заказе
NVTFS008N04CTAG NVTFS008N04CTAG MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN 859

Подробнее о заказе
AOD3N80 AOD3N80 MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252 3155

Подробнее о заказе
IXTA1N200P3HV IXTA1N200P3HV MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 886

Подробнее о заказе
AUIRFP4110 AUIRFP4110 MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC 8315

Подробнее о заказе
IRF640PBF IRF640PBF MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB 1044

Подробнее о заказе
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK 2438

Подробнее о заказе
FDC5614P FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 958

Подробнее о заказе
FDZ202P FDZ202P MOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA 157476

Подробнее о заказе
FDMS86181 FDMS86181 MOSFET N-CH 100V 44A/124A 8PQFN 2854

Подробнее о заказе
CEDM8001VL TR PBFREE CEDM8001VL TR PBFREE MOSFET P-CH 20V 100MA SOT883VL 579480962

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10853 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.96000$1.96
2500$0.93046$2326.15

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top