IXTA1N200P3HV | Wickmann / Littelfuse IXTA1N200P3HV | IXTA1N200P3HV Inventory, Best Pricing

IXTA1N200P3HV

Увеличить

Только для справки

номер части	IXTA1N200P3HV
LIXINC Part #	IXTA1N200P3HV
Производитель	Wickmann / Littelfuse
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IXTA1N200P3HV След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IXTA1N200P3HV Технические характеристики

номер части:	IXTA1N200P3HV
Бренд:	Wickmann / Littelfuse
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Wickmann / Littelfuse
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	2000 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	23.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	646 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263 (IXTA)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015