Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB180P04P403ATMA1
LIXINC Part # IPB180P04P403ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB180P04P403ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB180P04P403ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB180P04P403ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 410µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:250 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:17640 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB180P04P403ATMA1 Документы

if IPB180P04P403ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

MCT06P10-TP MCT06P10-TP MOSFET P-CH 100V 6A SOT223 5120

Подробнее о заказе
HAT2054M-EL-E HAT2054M-EL-E MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP 11433

Подробнее о заказе
FCB20N60FTM FCB20N60FTM MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 813

Подробнее о заказе
FDP075N15A-F102 FDP075N15A-F102 MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3 3740

Подробнее о заказе
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO 8295

Подробнее о заказе
RM21N700TI RM21N700TI MOSFET N-CHANNEL 700V 21A TO220F 829

Подробнее о заказе
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 24A 8SO 2647

Подробнее о заказе
SQP25N15-52_GE3 SQP25N15-52_GE3 MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB 1334

Подробнее о заказе
BSC042NE7NS3G BSC042NE7NS3G BSC042NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P 864

Подробнее о заказе
FDD3690 FDD3690 MOSFET N-CH 100V 22A DPAK 476615801

Подробнее о заказе
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 MOSFET N-CH 80V 40A TO252 8168

Подробнее о заказе
FDG361N FDG361N MOSFET N-CH 100V 600MA SC88 106442

Подробнее о заказе
DMG3418L-13 DMG3418L-13 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 835

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10936 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.86462$1.86462
1000$1.86462$1864.62

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top