Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDG361N

FDG361N
Увеличить

Только для справки

номер части FDG361N
LIXINC Part # FDG361N
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDG361N След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDG361N Технические характеристики

номер части:FDG361N
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:600mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:500mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:153 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):420mW (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SC-88 (SC-70-6)
упаковка / чехол:6-TSSOP, SC-88, SOT-363

FDG361N Документы

if FDG361N PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMG3418L-13 DMG3418L-13 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 825

Подробнее о заказе
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C 1770

Подробнее о заказе
SIHJ8N60E-T1-GE3 SIHJ8N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8 3900

Подробнее о заказе
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO 7939

Подробнее о заказе
FDMA420NZ FDMA420NZ MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET 2845

Подробнее о заказе
AOTF2610L AOTF2610L MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F 891

Подробнее о заказе
TP2104N3-G TP2104N3-G MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 1098

Подробнее о заказе
TK8P60W,RVQ TK8P60W,RVQ MOSFET N CH 600V 8A DPAK 818

Подробнее о заказе
DMT3009LFVWQ-7 DMT3009LFVWQ-7 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333 48899

Подробнее о заказе
ZXMN6A07FQTA ZXMN6A07FQTA MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23 3119

Подробнее о заказе
IXTA12N50P IXTA12N50P MOSFET N-CH 500V 12A TO263 990

Подробнее о заказе
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK 1242

Подробнее о заказе
RJK0352DSP-00#J0 RJK0352DSP-00#J0 MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP 183433

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 106441 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.41000$0.41

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top