Только для справки
| номер части | CSD19506KTTT |
| LIXINC Part # | CSD19506KTTT |
| Производитель | Texas Instruments |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | CSD19506KTTT След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | CSD19506KTTT |
| Бренд: | Texas Instruments |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Texas Instruments |
| ряд: | NexFET™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 80 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 200A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 156 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 12200 pF @ 40 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 375W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DDPAK/TO-263-3 |
| упаковка / чехол: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| IPD60R520CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5741 Подробнее о заказе |
|
| SIS429DNT-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8 | 988 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4119NT3G | MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN | 60813 Подробнее о заказе |
|
| STB12NM60N | MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK | 890 Подробнее о заказе |
|
| SI4413CDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | 864 Подробнее о заказе |
|
| FDME905PT | MOSFET P-CH 12V 8A MICROFET | 1909 Подробнее о заказе |
|
| STFW45N65M5 | MOSFET N-CH 650V 35A ISOWATT | 930 Подробнее о заказе |
|
| IRF7204PBF | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO | 849 Подробнее о заказе |
|
| UJ4C075060K4S | SICFET N-CH 750V 28A TO247-4 | 863 Подробнее о заказе |
|
| TSM950N10CW RPG | MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 | 2736 Подробнее о заказе |
|
| AUIRL7766M2TR | MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET | 11622 Подробнее о заказе |
|
| SIDR170DP-T1-RE3 | MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK | 6931 Подробнее о заказе |
|
| IXFP16N50P | MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB | 1342 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10909 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.17000 | $6.17 |
| 150 | $4.04967 | $607.4505 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.