AUIRL7766M2TR | Rochester Electronics AUIRL7766M2TR | AUIRL7766M2TR Inventory, Best Pricing

AUIRL7766M2TR

Увеличить

Только для справки

номер части	AUIRL7766M2TR
LIXINC Part #	AUIRL7766M2TR
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	AUIRL7766M2TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

AUIRL7766M2TR Технические характеристики

номер части:	AUIRL7766M2TR
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	66 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5.305 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DIRECTFET™ M4
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric M4

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.61000	$1.61
4800	$1.25969	$6046.512

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015