Только для справки
| номер части | IPW60R280E6FKSA1 |
| LIXINC Part # | IPW60R280E6FKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPW60R280E6FKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPW60R280E6FKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 13.8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 280mOhm @ 6.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 430µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 43 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 950 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 104W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO247-3 |
| упаковка / чехол: | TO-247-3 |
| FDS6609A | MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC | 891 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R600CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 11800 Подробнее о заказе |
|
| DMP1009UFDF-13 | MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN | 823 Подробнее о заказе |
|
| STH175N4F6-6AG | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | 997 Подробнее о заказе |
|
| DMN1019UFDE-7 | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E | 672646 Подробнее о заказе |
|
| IXTP1R6N100D2 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB | 969 Подробнее о заказе |
|
| HUFA75333G3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2327 Подробнее о заказе |
|
| SI4866DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 12V 11A 8SO | 2790 Подробнее о заказе |
|
| SI4401DDY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO | 26970 Подробнее о заказе |
|
| RM150N60HD | MOSFET N-CH 60V 150A TO263-2 | 814 Подробнее о заказе |
|
| RM21N650T2 | MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3 | 932 Подробнее о заказе |
|
| SSM3K116TU,LF | MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM | 18059 Подробнее о заказе |
|
| PMPB13UPX | MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6 | 984 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10876 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.31238 | $2.31238 |
| 240 | $2.31238 | $554.9712 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.