Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDS6609A

FDS6609A
Увеличить

Только для справки

номер части FDS6609A
LIXINC Part # FDS6609A
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDS6609A След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDS6609A Технические характеристики

номер части:FDS6609A
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6.3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:32mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:930 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SOIC
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6609A Документы

if FDS6609A PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPP60R600CP IPP60R600CP N-CHANNEL POWER MOSFET 11915

Подробнее о заказе
DMP1009UFDF-13 DMP1009UFDF-13 MOSFET P-CH 12V 15A 6UDFN 858

Подробнее о заказе
STH175N4F6-6AG STH175N4F6-6AG MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 907

Подробнее о заказе
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E 672664

Подробнее о заказе
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB 844

Подробнее о заказе
HUFA75333G3 HUFA75333G3 N-CHANNEL POWER MOSFET 2509

Подробнее о заказе
SI4866DY-T1-E3 SI4866DY-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 11A 8SO 2652

Подробнее о заказе
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO 26951

Подробнее о заказе
RM150N60HD RM150N60HD MOSFET N-CH 60V 150A TO263-2 885

Подробнее о заказе
RM21N650T2 RM21N650T2 MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3 878

Подробнее о заказе
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM 18064

Подробнее о заказе
PMPB13UPX PMPB13UPX MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6 803

Подробнее о заказе
RUF025N02FRATL RUF025N02FRATL MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 12126

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10908 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.94000$0.94

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top