Только для справки
| номер части | FDN359AN |
| LIXINC Part # | FDN359AN |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDN359AN След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDN359AN |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.7A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 46mOhm @ 2.7A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 480 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 500mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SuperSOT-3 |
| упаковка / чехол: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| IRF6665TRPBF | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET | 848 Подробнее о заказе |
|
| SCT2H12NYTB | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 | 1570 Подробнее о заказе |
|
| VN0550N3-G | MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 | 1569 Подробнее о заказе |
|
| PSMN9R1-30YL,115 | MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56 | 884 Подробнее о заказе |
|
| FDPF16N50 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220F | 1455 Подробнее о заказе |
|
| IPP028N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 1000 Подробнее о заказе |
|
| FQI32N12V2TU | MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK | 1579 Подробнее о заказе |
|
| DMN6075S-13 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 | 975 Подробнее о заказе |
|
| AON6522 | MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN | 857 Подробнее о заказе |
|
| DMN4030LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 | 60866 Подробнее о заказе |
|
| SIHG25N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC | 1374 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R6-30PL,127 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 11910 Подробнее о заказе |
|
| TK12A60W,S4VX | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS | 989 Подробнее о заказе |
| В наличии | 27199 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.55000 | $0.55 |
| 3000 | $0.24417 | $732.51 |
| 6000 | $0.22842 | $1370.52 |
| 15000 | $0.21266 | $3189.9 |
| 30000 | $0.20163 | $6048.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.