Только для справки
| номер части | IRF6665TRPBF |
| LIXINC Part # | IRF6665TRPBF |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF6665TRPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF6665TRPBF |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | HEXFET® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 62mOhm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 530 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DIRECTFET™ SH |
| упаковка / чехол: | DirectFET™ Isometric SH |
| SCT2H12NYTB | SICFET N-CH 1700V 4A TO268 | 1621 Подробнее о заказе |
|
| VN0550N3-G | MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3 | 1457 Подробнее о заказе |
|
| PSMN9R1-30YL,115 | MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56 | 831 Подробнее о заказе |
|
| FDPF16N50 | MOSFET N-CH 500V 16A TO220F | 1414 Подробнее о заказе |
|
| IPP028N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 969 Подробнее о заказе |
|
| FQI32N12V2TU | MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK | 1537 Подробнее о заказе |
|
| DMN6075S-13 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23 | 862 Подробнее о заказе |
|
| AON6522 | MOSFET N-CH 25V 71A/200A 8DFN | 960 Подробнее о заказе |
|
| DMN4030LK3-13 | MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3 | 60943 Подробнее о заказе |
|
| SIHG25N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC | 1315 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R6-30PL,127 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 12069 Подробнее о заказе |
|
| TK12A60W,S4VX | MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS | 958 Подробнее о заказе |
|
| NVTFS5811NLTAG | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 6876 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10837 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.17000 | $1.17 |
| 4800 | $0.47072 | $2259.456 |
| 9600 | $0.45302 | $4348.992 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.