Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC018NE2LSATMA1
LIXINC Part # BSC018NE2LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC018NE2LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC018NE2LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC018NE2LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:29A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:39 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2800 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC018NE2LSATMA1 Документы

if BSC018NE2LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMP1045UFY4-7 DMP1045UFY4-7 MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015H4-3 2147484527

Подробнее о заказе
NVD5867NLT4G NVD5867NLT4G MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK 860

Подробнее о заказе
AOTF11N70 AOTF11N70 MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F 828

Подробнее о заказе
DMT3020LFDF-7 DMT3020LFDF-7 MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN 9663

Подробнее о заказе
STP240N10F7 STP240N10F7 MOSFET N-CH 100V 180A TO220 3742

Подробнее о заказе
STI270N4F3 STI270N4F3 MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK 962

Подробнее о заказе
SPI12N50C3XKSA1 SPI12N50C3XKSA1 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3 1402

Подробнее о заказе
IXFA76N15T2 IXFA76N15T2 MOSFET N-CH 150V 76A TO263AA 2899

Подробнее о заказе
STD7N65M6 STD7N65M6 MOSFET N-CH 650V 5A DPAK 858

Подробнее о заказе
IRFP260MPBF IRFP260MPBF MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC 1627

Подробнее о заказе
RSJ151P10TL RSJ151P10TL MOSFET P-CH 100V 15A LPTS 1083

Подробнее о заказе
IPN60R1K5CEATMA1 IPN60R1K5CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 3456

Подробнее о заказе
CSD16413Q5A CSD16413Q5A MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON 1796

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11946 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.27000$1.27
5000$0.59014$2950.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top