Только для справки
| номер части | IPN60R1K5CEATMA1 |
| LIXINC Part # | IPN60R1K5CEATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPN60R1K5CEATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPN60R1K5CEATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ CE |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.5Ohm @ 1.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 90µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 9.4 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 200 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 5W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-SOT223 |
| упаковка / чехол: | SOT-223-3 |
| CSD16413Q5A | MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON | 1781 Подробнее о заказе |
|
| FQP27P06 | MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 | 18115 Подробнее о заказе |
|
| NVD5C460NLT4G | MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK | 859 Подробнее о заказе |
|
| MTB30P06VT4G | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK | 12310 Подробнее о заказе |
|
| SI7898DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 | 2177 Подробнее о заказе |
|
| APT17F80B | MOSFET N-CH 800V 18A TO247 | 894 Подробнее о заказе |
|
| SQD40081EL_GE3 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA | 2057 Подробнее о заказе |
|
| IRF620B | N-CHANNEL POWER MOSFET | 876 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1167-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1063 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS5C450NLT1G | MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN | 74445 Подробнее о заказе |
|
| STD80N4F6 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | 2217 Подробнее о заказе |
|
| TSM60NB260CI C0G | MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB | 1767 Подробнее о заказе |
|
| SI1404BDH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70 | 875 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13541 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.61000 | $0.61 |
| 3000 | $0.25072 | $752.16 |
| 6000 | $0.23616 | $1416.96 |
| 15000 | $0.22162 | $3324.3 |
| 30000 | $0.21143 | $6342.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.