Только для справки
| номер части | FDB8896-F085 |
| LIXINC Part # | FDB8896-F085 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL, |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB8896-F085 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB8896-F085 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 19A (Ta), 93A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 67 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.525 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 80W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263AB |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| TPH3206LD | GANFET N-CH 600V 17A PQFN | 992 Подробнее о заказе |
|
| IPD70N10S312ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3 | 12015 Подробнее о заказе |
|
| TP2535N3-G | MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3 | 1576 Подробнее о заказе |
|
| DMG3414U-7 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 | 173056 Подробнее о заказе |
|
| PMXB65ENEZ | MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3 | 4057 Подробнее о заказе |
|
| IXFN82N60P | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | 827 Подробнее о заказе |
|
| SIHP17N80E-BE3 | MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB | 1885 Подробнее о заказе |
|
| IRFR320PBF | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | 1031 Подробнее о заказе |
|
| SPD100N03S2L-04 | MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5 | 5927 Подробнее о заказе |
|
| TK30A06N1,S4X | MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS | 1640 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO3P | 1274 Подробнее о заказе |
|
| AUIRF7738L2TR | MOSFET N-CH 40V 35A/130A DIRECT | 8011 Подробнее о заказе |
|
| BSZ060NE2LSATMA1 | MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON | 39190 Подробнее о заказе |
| В наличии | 22598 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.68000 | $0.68 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.