Только для справки
| номер части | BSZ060NE2LSATMA1 |
| LIXINC Part # | BSZ060NE2LSATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSZ060NE2LSATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSZ060NE2LSATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 25 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 6mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 9.1 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 670 pF @ 12 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TSDSON-8-FL |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| BSS84AKMB,315 | MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 | 5529 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFR1010Z | AUTOMOTIVE N CHANNEL | 7089 Подробнее о заказе |
|
| IPI120N06S403AKSA1 | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 1484 Подробнее о заказе |
|
| IRFR2307ZTRLPBF | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK | 1071 Подробнее о заказе |
|
| TK10E60W,S1VX | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220 | 827 Подробнее о заказе |
|
| IXTH12N150 | MOSFET N-CH 1500V 12A TO247 | 886 Подробнее о заказе |
|
| IPU60R1K0CEBKMA1 | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251 | 809 Подробнее о заказе |
|
| AOK9N90 | MOSFET N-CH 900V 9A TO247 | 993 Подробнее о заказе |
|
| SIR871DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8 | 14790 Подробнее о заказе |
|
| DMP3160L-7 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 | 890 Подробнее о заказе |
|
| SI7308DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 1261 Подробнее о заказе |
|
| IRF820SPBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 1650 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN10A07ZTA | MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3 | 820 Подробнее о заказе |
| В наличии | 39278 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.72000 | $0.72 |
| 5000 | $0.30030 | $1501.5 |
| 10000 | $0.28918 | $2891.8 |
| 25000 | $0.28312 | $7078 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.