Только для справки
| номер части | SPD06N60C3ATMA1 |
| LIXINC Part # | SPD06N60C3ATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SPD06N60C3ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SPD06N60C3ATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.2A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 750mOhm @ 3.9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 260µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 620 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 74W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3-1 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IPD053N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | 6107 Подробнее о заказе |
|
| FDS6572A | MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC | 375367 Подробнее о заказе |
|
| FCP125N65S3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 | 818 Подробнее о заказе |
|
| AON7428 | MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN | 899 Подробнее о заказе |
|
| FDB070AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK | 1438 Подробнее о заказе |
|
| FQP5N40 | MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3 | 818 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3486-TD-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 124826 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 | 1339 Подробнее о заказе |
|
| NTD4855N-1G | MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK | 11273 Подробнее о заказе |
|
| IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 | 4059 Подробнее о заказе |
|
| APT6025BFLLG | MOSFET N-CH 600V 24A TO247 | 816 Подробнее о заказе |
|
| TK100E08N1,S1X | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | 909 Подробнее о заказе |
|
| FDB8896-F085 | 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL, | 22557 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10813 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.78000 | $0.78 |
| 2500 | $0.78000 | $1950 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.