Только для справки
| номер части | TPC8062-H,LQ(CM |
| LIXINC Part # | TPC8062-H,LQ(CM |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPC8062-H,LQ(CM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPC8062-H,LQ(CM |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Last Time Buy |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 18A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 5.8mOhm @ 9A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.3V @ 300µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 34 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2900 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1W (Ta) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOP |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| SI3445DV | P-CHANNEL MOSFET | 114766 Подробнее о заказе |
|
| STF4N90K5 | MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP | 2043 Подробнее о заказе |
|
| IPDD60R145CFD7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10 | 916 Подробнее о заказе |
|
| SPD06N60C3ATMA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 846 Подробнее о заказе |
|
| IPD053N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | 6042 Подробнее о заказе |
|
| FDS6572A | MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC | 375308 Подробнее о заказе |
|
| FCP125N65S3 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 | 969 Подробнее о заказе |
|
| AON7428 | MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN | 964 Подробнее о заказе |
|
| FDB070AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK | 1256 Подробнее о заказе |
|
| FQP5N40 | MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3 | 880 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3486-TD-E | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 124889 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R280C6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 | 1378 Подробнее о заказе |
|
| NTD4855N-1G | MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK | 11265 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10809 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.87900 | $0.879 |
| 3000 | $0.87900 | $2637 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.