TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM
Увеличить

Только для справки

номер части TPC8062-H,LQ(CM
LIXINC Part # TPC8062-H,LQ(CM
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPC8062-H,LQ(CM След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPC8062-H,LQ(CM Технические характеристики

номер части:TPC8062-H,LQ(CM
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVII-H
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Last Time Buy
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5.8mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.3V @ 300µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2900 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1W (Ta)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SOP
упаковка / чехол:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SI3445DV SI3445DV P-CHANNEL MOSFET 114766

Подробнее о заказе

STF4N90K5 STF4N90K5 MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP 2043

Подробнее о заказе

IPDD60R145CFD7XTMA1 IPDD60R145CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10 916

Подробнее о заказе

SPD06N60C3ATMA1 SPD06N60C3ATMA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 846

Подробнее о заказе

IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 6042

Подробнее о заказе

FDS6572A FDS6572A MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC 375308

Подробнее о заказе

FCP125N65S3 FCP125N65S3 MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3 969

Подробнее о заказе

AON7428 AON7428 MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN 964

Подробнее о заказе

FDB070AN06A0 FDB070AN06A0 MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK 1256

Подробнее о заказе

FQP5N40 FQP5N40 MOSFET N-CH 400V 4.5A TO220-3 880

Подробнее о заказе

2SK3486-TD-E 2SK3486-TD-E N-CHANNEL SILICON MOSFET 124889

Подробнее о заказе

IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 1378

Подробнее о заказе

NTD4855N-1G NTD4855N-1G MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK 11265

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10809 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.87900$0.879
3000$0.87900$2637

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top