Только для справки
| номер части | FQB55N10TM |
| LIXINC Part # | FQB55N10TM |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQB55N10TM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQB55N10TM |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 55A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 26mOhm @ 27.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 98 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±25V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2730 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.75W (Ta), 155W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP | 1644 Подробнее о заказе |
|
| IMW120R220M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 | 1517 Подробнее о заказе |
|
| TSM120N06LCR RLG | MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN | 919 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO3P | 887 Подробнее о заказе |
|
| IRFBF30STRLPBF | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263 | 1559 Подробнее о заказе |
|
| TSM018NB03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN | 3344 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLR3705ZTR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 1488 Подробнее о заказе |
|
| FQP6N40CF | MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3 | 3765878 Подробнее о заказе |
|
| FCP850N80Z | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 10965 Подробнее о заказе |
|
| SIHLL110TR-GE3 | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | 932 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6010LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060 | 874 Подробнее о заказе |
|
| FQB5N60TM | MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK | 1776 Подробнее о заказе |
|
| SSM3J356R,LXHF | AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F | 6643 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11104 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.30000 | $2.3 |
| 800 | $1.47271 | $1178.168 |
| 1600 | $1.35154 | $2162.464 |
| 2400 | $1.25833 | $3019.992 |
| 5600 | $1.21173 | $6785.688 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.