FQB55N10TM

FQB55N10TM
Увеличить

Только для справки

номер части FQB55N10TM
LIXINC Part # FQB55N10TM
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQB55N10TM След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQB55N10TM Технические характеристики

номер части:FQB55N10TM
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:55A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2730 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.75W (Ta), 155W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDMC86102LZ FDMC86102LZ MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP 1610

Подробнее о заказе

IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 1548

Подробнее о заказе

TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN 858

Подробнее о заказе

IXTQ96N20P IXTQ96N20P MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 1009

Подробнее о заказе

IRFBF30STRLPBF IRFBF30STRLPBF MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263 1588

Подробнее о заказе

TSM018NB03CR RLG TSM018NB03CR RLG MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN 3333

Подробнее о заказе

AUIRLR3705ZTR AUIRLR3705ZTR MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 1586

Подробнее о заказе

FQP6N40CF FQP6N40CF MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3 3765836

Подробнее о заказе

FCP850N80Z FCP850N80Z POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 10880

Подробнее о заказе

SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 948

Подробнее о заказе

DMTH6010LPS-13 DMTH6010LPS-13 MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060 816

Подробнее о заказе

FQB5N60TM FQB5N60TM MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK 1825

Подробнее о заказе

SSM3J356R,LXHF SSM3J356R,LXHF AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F 6567

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11213 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.30000$2.3
800$1.47271$1178.168
1600$1.35154$2162.464
2400$1.25833$3019.992
5600$1.21173$6785.688

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top