BSP318SL6327HTSA1

BSP318SL6327HTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSP318SL6327HTSA1
LIXINC Part # BSP318SL6327HTSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSP318SL6327HTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSP318SL6327HTSA1 Технические характеристики

номер части:BSP318SL6327HTSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:SIPMOS®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.6A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:90mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 20µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:380 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1.8W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223-4
упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

EPC2206 EPC2206 GANFET N-CH 80V 90A DIE 7889

Подробнее о заказе

RW1C020UNT2R RW1C020UNT2R MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT 914

Подробнее о заказе

SSM3K15CT(TPL3) SSM3K15CT(TPL3) MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 900

Подробнее о заказе

FQB55N10TM FQB55N10TM MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK 1105

Подробнее о заказе

FDMC86102LZ FDMC86102LZ MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP 1547

Подробнее о заказе

IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 1646

Подробнее о заказе

TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN 813

Подробнее о заказе

IXTQ96N20P IXTQ96N20P MOSFET N-CH 200V 96A TO3P 981

Подробнее о заказе

IRFBF30STRLPBF IRFBF30STRLPBF MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263 1527

Подробнее о заказе

TSM018NB03CR RLG TSM018NB03CR RLG MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN 3482

Подробнее о заказе

AUIRLR3705ZTR AUIRLR3705ZTR MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 1610

Подробнее о заказе

FQP6N40CF FQP6N40CF MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3 3765912

Подробнее о заказе

FCP850N80Z FCP850N80Z POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N 10959

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 5795878 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.20000$0.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top