Только для справки
| номер части | BSP318SL6327HTSA1 |
| LIXINC Part # | BSP318SL6327HTSA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSP318SL6327HTSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSP318SL6327HTSA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | SIPMOS® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.6A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 20µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 380 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.8W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-SOT223-4 |
| упаковка / чехол: | TO-261-4, TO-261AA |
| EPC2206 | GANFET N-CH 80V 90A DIE | 7889 Подробнее о заказе |
|
| RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT | 914 Подробнее о заказе |
|
| SSM3K15CT(TPL3) | MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 | 900 Подробнее о заказе |
|
| FQB55N10TM | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | 1105 Подробнее о заказе |
|
| FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP | 1547 Подробнее о заказе |
|
| IMW120R220M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 | 1646 Подробнее о заказе |
|
| TSM120N06LCR RLG | MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN | 813 Подробнее о заказе |
|
| IXTQ96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO3P | 981 Подробнее о заказе |
|
| IRFBF30STRLPBF | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263 | 1527 Подробнее о заказе |
|
| TSM018NB03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN | 3482 Подробнее о заказе |
|
| AUIRLR3705ZTR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 1610 Подробнее о заказе |
|
| FQP6N40CF | MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3 | 3765912 Подробнее о заказе |
|
| FCP850N80Z | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 10959 Подробнее о заказе |
| В наличии | 5795878 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.20000 | $0.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.