TK20G60W,RVQ

TK20G60W,RVQ
Увеличить

Только для справки

номер части TK20G60W,RVQ
LIXINC Part # TK20G60W,RVQ
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TK20G60W,RVQ След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK20G60W,RVQ Технические характеристики

номер части:TK20G60W,RVQ
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:DTMOSIV
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:20A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.7V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1680 pF @ 300 V
Фет-функция:Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):165W (Tc)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D2PAK
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AOSP21311C AOSP21311C MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 970

Подробнее о заказе

IXFP72N30X3M IXFP72N30X3M MOSFET N-CH 300V 72A TO220 256643

Подробнее о заказе

IPU60R3K4CEAKMA1 IPU60R3K4CEAKMA1 MOSFET N-CH 600V 2.6A TO251-3 14339

Подробнее о заказе

BSP373L6327 BSP373L6327 N-CHANNEL POWER MOSFET 21212

Подробнее о заказе

FQB4N80TM FQB4N80TM POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 3322

Подробнее о заказе

BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R6-40E,115 MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56 2602

Подробнее о заказе

SIS439DNT-T1-GE3 SIS439DNT-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S 1691

Подробнее о заказе

DMG1012T-7 DMG1012T-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 938

Подробнее о заказе

BUK9832-55A/CUX BUK9832-55A/CUX MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 927

Подробнее о заказе

NTMS4807NR2G NTMS4807NR2G MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC 48763305

Подробнее о заказе

PMN280ENEAX PMN280ENEAX MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP 15016

Подробнее о заказе

DMN2028UFDF-7 DMN2028UFDF-7 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN 1451

Подробнее о заказе

PMN38EN,135 PMN38EN,135 MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP 61221

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10915 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.18440$1.1844
1000$1.18440$1184.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top