Только для справки
| номер части | TK20G60W,RVQ |
| LIXINC Part # | TK20G60W,RVQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N CH 600V 20A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK20G60W,RVQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK20G60W,RVQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | DTMOSIV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 20A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 155mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.7V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 48 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1680 pF @ 300 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 165W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| AOSP21311C | MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC | 897 Подробнее о заказе |
|
| IXFP72N30X3M | MOSFET N-CH 300V 72A TO220 | 256553 Подробнее о заказе |
|
| IPU60R3K4CEAKMA1 | MOSFET N-CH 600V 2.6A TO251-3 | 14373 Подробнее о заказе |
|
| BSP373L6327 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 21174 Подробнее о заказе |
|
| FQB4N80TM | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 | 3231 Подробнее о заказе |
|
| BUK9Y7R6-40E,115 | MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56 | 2607 Подробнее о заказе |
|
| SIS439DNT-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S | 1590 Подробнее о заказе |
|
| DMG1012T-7 | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 | 845 Подробнее о заказе |
|
| BUK9832-55A/CUX | MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 | 855 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4807NR2G | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC | 48763419 Подробнее о заказе |
|
| PMN280ENEAX | MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP | 15091 Подробнее о заказе |
|
| DMN2028UFDF-7 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN | 1350 Подробнее о заказе |
|
| PMN38EN,135 | MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP | 61166 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10985 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.18440 | $1.1844 |
| 1000 | $1.18440 | $1184.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.