FDB8160-F085 | Rochester Electronics FDB8160-F085 | FDB8160-F085 Inventory, Best Pricing

FDB8160-F085

Увеличить

Только для справки

номер части	FDB8160-F085
LIXINC Part #	FDB8160-F085
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL,
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDB8160-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDB8160-F085 Технические характеристики

номер части:	FDB8160-F085
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	243 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	11.825 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	254W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263AB
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

TN2501N8-G	MOSFET N-CH 18V 400MA TO243AA	907 Подробнее о заказе
IPP60R160P6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3	860 Подробнее о заказе
BSS138-7-F	MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3	829 Подробнее о заказе
STF5N62K3	MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP	812 Подробнее о заказе
TK20G60W,RVQ	MOSFET N CH 600V 20A D2PAK	925 Подробнее о заказе
AOSP21311C	MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC	941 Подробнее о заказе
IXFP72N30X3M	MOSFET N-CH 300V 72A TO220	256620 Подробнее о заказе
IPU60R3K4CEAKMA1	MOSFET N-CH 600V 2.6A TO251-3	14360 Подробнее о заказе
BSP373L6327	N-CHANNEL POWER MOSFET	21189 Подробнее о заказе
FQB4N80TM	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	3262 Подробнее о заказе
BUK9Y7R6-40E,115	MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56	2546 Подробнее о заказе
SIS439DNT-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S	1669 Подробнее о заказе
DMG1012T-7	MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523	842 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.29000	$1.29

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015