SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPD09P06PLGBTMA1
LIXINC Part # SPD09P06PLGBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPD09P06PLGBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPD09P06PLGBTMA1 Технические характеристики

номер части:SPD09P06PLGBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:250mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):42W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AUIRLS3034 AUIRLS3034 AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL 5847

Подробнее о заказе

SFR2955TM SFR2955TM P-CHANNEL POWER MOSFET 15057

Подробнее о заказе

NTMFS4935NT3G NTMFS4935NT3G MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN 490010887

Подробнее о заказе

IRFPG30PBF IRFPG30PBF MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3 1044

Подробнее о заказе

BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON 882

Подробнее о заказе

FDS2170N7 FDS2170N7 MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC 24759

Подробнее о заказе

IXTK120N20P IXTK120N20P MOSFET N-CH 200V 120A TO264 817

Подробнее о заказе

2SK3003 2SK3003 MOSFET N-CH 200V 18A TO220F 890

Подробнее о заказе

BS170P BS170P MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 35678986

Подробнее о заказе

MTB3N60ET4 MTB3N60ET4 N-CHANNEL POWER MOSFET 1521

Подробнее о заказе

APT5024BFLLG APT5024BFLLG MOSFET N-CH 500V 22A TO247 882

Подробнее о заказе

TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 850

Подробнее о заказе

FQI50N06TU FQI50N06TU MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK 2681

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10837 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.98000$0.98
2500$0.39517$987.925
5000$0.36792$1839.6
12500$0.35429$4428.625
25000$0.34685$8671.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top