Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC016N03LSGATMA1
LIXINC Part # BSC016N03LSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC016N03LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC016N03LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC016N03LSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:32A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:131 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10000 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC016N03LSGATMA1 Документы

if BSC016N03LSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDS2170N7 FDS2170N7 MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC 24637

Подробнее о заказе
IXTK120N20P IXTK120N20P MOSFET N-CH 200V 120A TO264 993

Подробнее о заказе
2SK3003 2SK3003 MOSFET N-CH 200V 18A TO220F 994

Подробнее о заказе
BS170P BS170P MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 35678894

Подробнее о заказе
MTB3N60ET4 MTB3N60ET4 N-CHANNEL POWER MOSFET 1584

Подробнее о заказе
APT5024BFLLG APT5024BFLLG MOSFET N-CH 500V 22A TO247 857

Подробнее о заказе
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP 898

Подробнее о заказе
FQI50N06TU FQI50N06TU MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK 2649

Подробнее о заказе
PSMN1R4-30YLDX PSMN1R4-30YLDX MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 821

Подробнее о заказе
TSM600P03CS RLG TSM600P03CS RLG MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP 5743

Подробнее о заказе
SUP90P06-09L-E3 SUP90P06-09L-E3 MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB 1341

Подробнее о заказе
STH13N120K5-2AG STH13N120K5-2AG MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 817

Подробнее о заказе
APT18F60B APT18F60B MOSFET N-CH 600V 19A TO247 878

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10994 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.60000$1.6
5000$0.70760$3538

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top